La prolifération des batteries haute tension dans les véhicules électriques, les drones et l'outillage électroportatif professionnel pose un défi majeur : la protection contre les défaillances catastrophiques lors de courts-circuits externes, où les courants peuvent atteindre plusieurs milliers d'ampères. Le MOSFET de décharge est le seul composant responsable de l'isolation de la batterie dans ces conditions extrêmes.
« Dans les batteries haute énergie, la robustesse est essentielle. Les conceptions MOSFET traditionnelles doivent choisir entre une résistance à l'état passant (RDS(on)) ultra-faible pour une efficacité optimale et l'intégrité structurelle nécessaire pour résister à des courants de court-circuit importants », explique le Dr Phil Rutter, vice-président de la conception chez iDEAL Semiconductor. « La plateforme SuperQ™ élimine ce dilemme. Notre structure de cellule exclusive offre la plus faible résistance à l'état passant du marché, ainsi qu'une marge de sécurité inégalée, permettant aux concepteurs de créer des systèmes de batteries plus petits, plus fiables et plus économiques en toute confiance. ».
Résistance en court-circuit 1,4 fois supérieure
Des tests internes réalisés par iDEAL Semiconductor ont démontré l'avantage significatif de la technologie SuperQ en termes de performances. Une comparaison directe de l'iS15M2R5S1T (150 V, 2,5 mΩ, boîtier TOLL) avec un produit concurrent de premier plan a révélé les résultats suivants :
Le dispositif SuperQ a démontré une résistance aux courts-circuits 1,4 fois supérieure à celle de son principal concurrent. Cette performance révolutionnaire est obtenue grâce à une structure cellulaire brevetée dotée d'une zone de conduction plus large, optimisant ainsi la densité de puissance et l'intégrité structurelle même dans des conditions de contrainte extrêmes.
Pour les concepteurs de blocs-batteries, cette technologie SCWC supérieure se traduit par des avantages au niveau du système :
Réduction du nombre de composants : Chaque composant SuperQ supportant un courant de court-circuit nettement supérieur, les concepteurs peuvent réduire de moitié le nombre de MOSFET montés en parallèle, tout en respectant les mêmes exigences de sécurité.
Économies : La réduction du nombre et de la complexité des composants entraîne une diminution substantielle du coût total des matériaux (nomenclature) et simplifie la conception des cartes.
Efficacité : Le maintien d’une résistance à l’état passant (RDS(on)) ultra-faible de 2,5 mΩ minimise les pertes par conduction, prolonge la durée de vie de la batterie et réduit les besoins en gestion thermique.
La gamme SuperQ est disponible immédiatement avec des composants jusqu’à 200 V, offrant des solutions pour les plateformes de batteries de 72 V à plus de 144 V.
